মেটাল ম্যাগনেট্রন স্পুটারড হিট-ইনসুলেটিং উইন্ডো ফিল্ম

ম্যাগনেটিক স্পাটারিং হল ফিজিক্যাল বাষ্প ডিপোজিশন (PVD) এর উপর ভিত্তি করে একটি পাতলা-ফিল্ম ডিপোজিশন কৌশল, যা ভ্যাকুয়াম অবস্থায় ইলেক্ট্রন গতি নিয়ন্ত্রণ করতে একটি চৌম্বক ক্ষেত্র ব্যবহার করে, ধাতু বা খাদ লক্ষ্যবস্তু থেকে পরমাণুগুলিকে সাবস্ট্রেট পৃষ্ঠের উপর সমন্বিত, ঘন ফিল্ম তৈরি করতে সক্ষম করে। মূল নীতি এবং প্রক্রিয়া পদক্ষেপগুলি নিম্নরূপ: ভ্যাকুয়াম পরিবেশ স্থাপন - সম্পূর্ণ জমা প্রক্রিয়াটি একটি উচ্চ-শূন্য চেম্বারের মধ্যে ঘটে, যেখানে বায়ুবাহিত অমেধ্যগুলিকে ফিল্মের বিশুদ্ধতা এবং কাঠামোগত স্থিতিশীলতার সাথে আপস করতে না করতে 10⁻³ এবং 10⁻¹ Pa-এর মধ্যে চাপ বজায় রাখা হয়।

হিট ব্লকিং উইন্ডো ফিল্ম স্পুটারড হিট-ইনসুলেটিং উইন্ডো ফিল্ম টার্গেট ম্যাটেরিয়াল এবং সাবস্ট্রেট কনফিগারেশন: উইন্ডো ফিল্মের পারফরম্যান্সের প্রয়োজনীয়তার উপর ভিত্তি করে উপযুক্ত টার্গেট ম্যাটেরিয়াল নির্বাচন করুন; সাধারণ বিকল্পগুলির মধ্যে রয়েছে সিলভার, টাইটানিয়াম এবং নিকেল-ক্রোমিয়াম অ্যালয়। সাবস্ট্রেটটি সাধারণত একটি PET (পলিথিলিন টেরেফথালেট) ফিল্ম, যা চমৎকার আলোক প্রেরণ এবং যান্ত্রিক শক্তি প্রদর্শন করে।

চৌম্বক এবং বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রের মধ্যে সমন্বয়মূলক মিথস্ক্রিয়া: লক্ষ্যবস্তুর পিছনে একটি চৌম্বক ক্ষেত্র প্রয়োগ করা একটি অর্থোগোনাল ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক ক্ষেত্র তৈরি করে যা চেম্বারের মধ্যে বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রের সাথে ইন্টারঅ্যাক্ট করে, লক্ষ্য পৃষ্ঠ বরাবর ইলেকট্রনের হেলিকাল গতি প্ররোচিত করে। এটি আর্গন অণুর সাথে সংঘর্ষের সম্ভাবনা বাড়ায়, প্রচুর সংখ্যক আর্গন আয়ন তৈরি করে। তাপ ব্লকিং উইন্ডো ফিল্ম আর্গন আয়নগুলি বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রের দ্বারা ত্বরান্বিত হয় এবং লক্ষ্য পৃষ্ঠের উপর বোমাবর্ষণ করে, যার ফলে পারমাণবিক বিচ্ছিন্নতা এবং PET সাবস্ট্রেটের উপর জমা হয়।

স্পুটারড হিট-ইনসুলেটিং উইন্ডো ফিল্ম মাল্টিলেয়ার কম্পোজিট ডিপোজিশন: পর্যায়ক্রমে বিভিন্ন ধাতু বা খাদ স্তর জমা করার মাধ্যমে, একটি মাল্টিলেয়ার কম্পোজিট স্ট্রাকচার তৈরি করা হয়, যা শুধুমাত্র উইন্ডো ফিল্মের তাপ নিরোধক কর্মক্ষমতা বাড়ায় না বরং সিঙ্গেল-মেটাল স্তরগুলির সাথে যুক্ত সিগন্যাল শিল্ডিং সমস্যাগুলি এড়ায়, যখন ফিল্মের ডুয়্যার্যান্সিবিলিটি উন্নত করে।